玩单片机的（de）都可能遇到过（guò）因外部干扰或因（yīn）软件BUG导致死机，这对于有功率负载的电路是极（jí）为（wéi）不利的。 现（xiàn）在MCU都有了WDT看门狗，当计数溢（yì）出（chū）就强制进行复位。 但如果（guǒ）单片机因某种原因(如（rú）静（jìng）电（diàn）、浪（làng）涌等击穿（chuān）)直接导致损坏，使其输（shū）入输出状态无法控（kòng）制，且无法预料时，可能（néng）会造（zào）成（chéng）不良后果（guǒ）甚至人身（shēn）安全（quán）。 如电机控（kòng）制、逆变器（qì）等，当异常（cháng）发生MCU输出（chū）端一直输出固定电平(这（zhè）里假设高电平驱动)会导致线圈进入饱和（hé），产生大电流发热（rè）烧（shāo）毁线圈（quān）甚至是起火引发一系列不可预料后果。 那（nà）如何去有效避免这类问题（tí）的发生呢?

任一MOS持续导通（tōng）都会导线（xiàn）圈饱和发热

首先（xiān），最大的问题是单片机失效后，IO端口（kǒu）状态无法预料，只能切（qiē）断负载供电，所以只要（yào）能检测到（dào）MCU是（shì）否正常工作（zuò），然（rán）后去控制负载（zǎi）供（gòng）电开关就可以避免上（shàng）述问题了。 顺着这个思路，我们可以让单片机一（yī）个IO口（kǒu）一直输（shū）出50%占空（kōng）比PWM信号，用（yòng）一个电容进行隔离，当正（zhèng）常工作时PWM信号可以通（tōng）过电容（róng），经（jīng）过整（zhěng）流（liú）滤波驱动MOS管导通（tōng），当死（sǐ）机后就没有（yǒu）PWM信（xìn）号输出了，此时不管IO口是持续的高（gāo）还是低电平，经过电容后级（jí）都（dōu）没有电压了，此（cǐ）时MOS管（guǎn）截止负载供电被关断，这样就有效保护（hù）了负载（zǎi）。

负载保护电（diàn）路图

最后（hòu）结合上（shàng）图重新梳理一遍保护过（guò）程（chéng）。 当单片机正常（cháng）运行（háng）时IO1持续输出PWM信号，整流滤波后推动（dòng）后级MOS管（guǎn）导通，提供（gòng）负载供电（diàn）; 当单（dān）片机死机或失效后，就没有PWM信号输出，无论输出（chū）是持续的高（gāo）或低电平，都没有整流电（diàn）压（yā）推动后级MOS开关管，此时（shí）MOS管截（jié）止，负（fù）载断电（diàn）!

本电路重点运（yùn）用了电容的隔直流特（tè）性，既能（néng）让（ràng）连续变化的PWM耦合通过，又可以阻止（zhǐ）直流（liú）电压（yā）通过，从而有（yǒu）效检测MCU是否（fǒu）异（yì）常，同时控（kòng）制负（fù）载（zǎi）供电开关。